隨著積體電路向高性能、小型化和高集成度發(fā)展，三維封裝技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)的主流趨勢。3D封裝通過將多個(gè)晶片垂直疊層，並利用垂直互連（如TSV，矽通孔）實(shí)現(xiàn)高密度、高頻寬、低功耗的封裝結(jié)構(gòu)。這一技術(shù)的發(fā)展對封裝材料提出了更高要求，特別是在熱管理、機(jī)械強(qiáng)度、熱膨脹匹配等方面。而鉬銅合金（Mo-Cu alloy）憑藉其出色的導(dǎo)熱性能、低熱膨脹係數(shù)、良好的力學(xué)性能和可加工性，正在成為3D封裝中的關(guān)鍵支撐材料之一。
一、熱沉（Heat Sink）與熱擴(kuò)散板（Heat Spreader）
Mo-Cu合金最重要的應(yīng)用之一是作為熱沉或熱擴(kuò)散板。3D封裝由於晶片層數(shù)多、功率密度大，容易出現(xiàn)“熱點(diǎn)”聚集，從而影響器件性能和壽命。Mo-Cu合金具有較高的熱導(dǎo)率（可達(dá)180–220 W/m·K）和良好的熱擴(kuò)散性能，能迅速將晶片產(chǎn)生的熱量從封裝內(nèi)部匯出，防止熱積累。同時(shí)，其熱膨脹係數(shù)介於矽（~3 ppm/℃）和銅（~17 ppm/℃）之間，通常為6–8 ppm/℃，與半導(dǎo)體材料及陶瓷封裝基板熱匹配性好，能有效減少熱應(yīng)力和開裂風(fēng)險(xiǎn)。
二、基板支撐結(jié)構(gòu)（Substrate Support Structure）
在3D堆疊晶片結(jié)構(gòu)中，底部或中間晶片常常需要一個(gè)堅(jiān)固、尺寸穩(wěn)定的金屬支撐材料以承載上層晶片的重量，並保障整個(gè)結(jié)構(gòu)在熱迴圈過程中不發(fā)生翹曲或變形。鉬銅因其高彈性模量和高溫穩(wěn)定性被用於作為封裝支撐板或仲介層（interposer baseplate），確保封裝堆疊結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度和長期可靠性。
三、仲介層（Interposer）導(dǎo)熱墊層
在矽通孔（TSV）或晶圓級3D封裝中，仲介層（interposer）是連接上下晶片電信號與熱通路的關(guān)鍵元件。鉬銅可作為仲介層的熱導(dǎo)路徑，起到穩(wěn)定的導(dǎo)熱橋樑作用。部分先進(jìn)工藝將Mo-Cu複合結(jié)構(gòu)與陶瓷仲介層結(jié)合，以兼顧電性能與熱性能。
四、微型散熱片與定制熱結(jié)構(gòu)件
3D封裝對熱管理的局部化需求越來越高，尤其是在高功率計(jì)算晶片（如GPU、AI晶片）中。Mo-Cu合金可以被精密加工成微型散熱結(jié)構(gòu)，如微槽、微柱或內(nèi)嵌散熱塊等，集成于封裝體內(nèi)部，以實(shí)現(xiàn)更高效的散熱控制。同時(shí)，由於其優(yōu)良的機(jī)械加工性能，可定制各種形狀以適應(yīng)不同封裝方案。
五、封裝蓋板（Lid）與導(dǎo)熱夾層（TIM Support）
在某些3D封裝模組中，鉬銅還被用作封裝外殼的蓋板，或作為熱介面材料（Thermal Interface Material, TIM）之間的穩(wěn)定支撐結(jié)構(gòu)。通過與高導(dǎo)熱矽脂、石墨片等材料協(xié)同使用，Mo-Cu蓋板可進(jìn)一步提升封裝整體的散熱效率和可靠性。
六、高頻、高功率封裝中的應(yīng)用
隨著5G通信和高頻雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展，3D封裝逐步擴(kuò)展至高頻和高功率場景。鉬銅合金因其優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、電磁相容性和無磁性特性，被用於功率放大器模組（PA module）、射頻器件（RF device）等器件的熱控底座和結(jié)構(gòu)支撐，為高頻信號傳輸提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
