高功率半導體器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色，廣泛應用於新能源汽車、電力傳輸、工業(yè)控制、航空航太和通信設備等領域。然而，在高功率運行環(huán)境下，這些半導體器件會產生大量的熱量，如果不能有效散熱，可能導致性能下降、可靠性降低甚至器件失效。
因此，封裝材料的選擇尤為關鍵，需要兼具高導熱性、低熱膨脹係數(shù)（CTE）以及優(yōu)良的機械性能。鉬銅（Mo-Cu）合金憑藉其優(yōu)異的熱管理能力、良好的熱匹配性能以及高穩(wěn)定性，成為高功率半導體封裝的重要材料之一。
高功率半導體器件，如IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）和SiC/GaN功率器件，在高壓、高頻、大電流環(huán)境下工作，其封裝材料需滿足以下核心要求：
1.高導熱性
由於半導體器件會產生大量熱量，封裝材料必須具備良好的導熱性，以便迅速將熱量傳導至散熱器，防止器件過熱。
2.匹配的熱膨脹係數(shù)（CTE）
半導體晶片（如矽Si、碳化矽SiC、氮化鎵GaN）的熱膨脹係數(shù)較低，封裝材料的CTE應與晶片相匹配，以減少熱應力，提高器件的可靠性。
3.高機械強度和穩(wěn)定性
封裝材料需要承受長期的熱迴圈和機械應力，確保器件在各種極端環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。
4.良好的耐腐蝕性和電性能
封裝材料應具有良好的抗氧化性和耐腐蝕性，確保在高溫、高濕環(huán)境下長期使用，同時具備良好的電導率，減少能量損耗。
鉬銅合金在高功率半導體封裝中的主要應用部件包括：
1.散熱片（Heat Spreader）
在IGBT、MOSFET等功率器件封裝中，Mo-Cu合金作為散熱片材料，可以高效地將半導體晶片產生的熱量傳導至散熱系統(tǒng)，降低晶片溫度，提高器件的可靠性和效率。
2.基板（Substrate）
Mo-Cu基板可作為晶片與散熱片之間的熱緩衝層，能夠有效減少熱應力，提高器件的穩(wěn)定性。特別是在SiC、GaN等新型半導體封裝中，Mo-Cu合金因其良好的熱匹配性成為理想的基板材料。
3.引線框架（Lead Frame）
Mo-Cu合金可用於IGBT、MOSFET的引線框架，提供機械支撐，同時優(yōu)化導電性能，降低寄生電阻和功耗，提高電能轉換效率。
4.封裝殼體（Package Housing）
在高溫、高濕、高振動環(huán)境中，Mo-Cu合金可用於功率模組的封裝殼體，提高結構強度和散熱能力。
