LED照明市場高速發展 長期利好金屬鎵
【中鎢在線新聞網-鎢新聞】
作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優點，被稱為是21世紀最有發展前景的綠色照明光源。
經過十年的高速發展發展，中國LED市場的規模、應用的創新和質量的控制方面已經在全球遙遙領先,位居世界首位，我國已經成為全球LED產業的中心。統計數據顯示，2013年我國照明行業總產值4800億元。其中包括350億美金的出口市場和2000多億元的國內市場。相較于2000多億元的增量市場，業內人士認為改革開放30年形成的照明存量市場將帶來數萬億元的市場空間。
據悉，10月1日起，我國將開始禁售和進口60瓦及以上白熾燈。目前，我國是全球白熾燈銷售量最大的國家。60瓦是目前白熾燈的銷售主力品種，即將開始的禁售，將進一步提升LED燈的市場份額。業內人士表示，僅白熾燈替代市場每年就將新增120億只以上燈源需求。預計LED照明未來3~5年將會形成行業產值高峰，將保持100%的年復合增速，行業總產值有望達到萬億元。
LED產業鏈可以分為芯片制造、封裝和應用環節三部分。按照受益程度來看，上游芯片制造無疑成為最受益的環節。從照明行業價值構成看，外延芯片利潤占比約70%，封裝環節約為10%~15%，而應用環節約為10%~20%。處于價值鏈前端的LED外延片及芯片環節占有極高的附加值。在LED照明產業的爆發增長中，上游外延及芯片環節業績向上彈性最大。由于芯片制造在LED產業鏈中技術含量高。
目前，國內外市場上LED半導芯片的制備，大多數都采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）。近年來，隨著LED產業的發展，氮化鎵的消費也不斷增加。氮化鎵的消費在金屬鎵的最終消費中占據越來越重要的位置。
同時，氮化鎵單晶材料是用于氮化鎵生長的最理想的襯底，這樣可以大大提高外延膜的晶體質量，降低位錯密度，提高器件工作壽命，提高發光效率，提高器件工作電流密度。但，氮化鎵體單晶材料制備難度大，且價格昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導體照明的襯底之用受到限制。日前，方大集團成功打造出我國第一條氮化鎵(GaN)基LED外延片、芯片、封裝、熒光粉到半導體照明工程應用產品開發、制造直至終端應用的完整產業鏈，實現了氮化鎵基半導體照明外延片、芯片"中國造”。這將進一步提升氮化鎵外延片的市場份額，這也將促進金屬鎵的消費。
綜上所述，隨著LED照明的飛速發展，金屬鎵的需求將不斷的增加。未來，金屬鎵未來的投資價值值得期待。（作者:王保慶）
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