三酸化タングステンは、ECエレクトロクロミックガラスにエレクトロクロミック層を調製するための重要な原料です。 専門家によると、ECガラスのエレクトロクロミック材料はほとんどがWO3に基づいており、得られたWO3フィルムにNi、V、TiO2をドープして性能を向上させています。 今日、機能性材料としてWO3を使用するエレクトロクロミックデバイスは徐々に工業化されています。
詳細については、次をご覧ください。
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
専門家はまた、中國のエレクトロクロミックガラスに関する現在の研究はまだ調査段階にあり、構造內の各層に選択された材料はまだ多くの研究中であることを紹介しました。 ITOは透明導電層材料に最適であると報告されています.NiOxはイオン貯蔵層に最もよく研究されています。固體リチウム塩は主に電解質層材料に研究されていますが、固體リチウム塩はスパッタリング成膜プロセス中に導電率とスパッタリング速度にさらされます。 ターゲットの高溫耐性などの要因の影響も、大面積のエレクトロクロミックガラスの生産を制限する鍵となります。 要約すると、全固體無機エレクトロクロミックガラスは、エレクトロクロミックデバイスの分野の焦點です。
